超级耐用!三星全球首推3D垂直闪存SSD

www.ts.cn 天山网   2013年08月15日 18:08:45    我来说两句 天山网官方微博
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    日前,三星宣布在全球范围内率先批量投产采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”,而韩国巨头并没有让这种新型闪存闲着。仅仅一周后的2013年闪存峰会上,三星就发布了第一款基于3D V-NAND闪存的固态硬盘产品,名字就直截了当地叫做“V-NAND SSD”。

    V-NAND SSD采用标准的2.5寸规格,厚度为7毫米,但主要面向企业级市场,已于本月初投产,不过出货时间未公布。它提供了960GB、480GB两种容量版本,其中前者性能最佳,持续和随机写入速度提升超过20%、功耗降低超过40%(没有给出对比对象),采用了64颗MLC 3D V-NAND闪存内核,每一颗容量128Gb(16GB),同时搭配SATA 6Gbps主控制器。

    三星宣称,3D V-NAND在极大提高存储密度的同时,还解决了闪存进入1xnm工艺时代后的可靠性和耐用性问题,V-NAND SSD的编程/擦写循环次数高达3.5万,相比之下25/20nm的普通型MLC NAND才不过3000次。三星的3D V-NAND闪存内部采用三星独有的垂直单元结构,通过3D CTF电荷捕型获闪存技术、垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列,可以将最多24个单元层堆叠在一起。三星表示会继续研发下一代3D V-NAND,但没有透露何时会推向消费级市场。


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稿源: 驱动之家 责编: 实习生 王欢 收藏此页 打印此页
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